DRAM

存储大厂DRAM考虑采用MUF技术

2024-03-07
韩国媒体 TheElec报道,三星正在考虑在其下一代 DRAM 中应用模压填充(MUF)技术。三星最近测试了一种用于 3D 堆栈 (3DS) 存储器的MUF 技术,与 TC NCF 相较其传输量有所提升。据悉,MUF 是一种在半导体上打上数千个微小的孔,然后将上下层半导体连接的硅穿孔 (TSV) 技术后,注入到半导体之间的材料,它的作用是将垂直堆栈的多个半导体牢固地固定并连接起来。而经过测试...

emmc和ufs的区别_ufs和emmc使用差别

2024-03-01
日常选机大家往往关注64GB、128GB等存储空间,却很少像选笔记本关注SSD一样关注手机闪存规格。首先手机储存容量、固态硬盘(SSD)、U盘和SD卡等使用的都是一种叫做NAND的储存介质,NAND闪存是一种非易失性存储技术,即断电后仍能保存数据。它的发展目标就是降低每比特存储成本、提高存储容量。  无论是eMMC还是UFS都是在NAND存储芯片的基础上,再加上了控制芯片,接入标准接口,进行...

全球芯详解NAND、eMMC、UFS、eMCP、uMCP、DDR、LPDDR及存储器和内存区别

2024-03-01
一、NAND FlashNAND Flash全名为Flash Memory,属于非易失性存储设备(Non-volatile Memory Device),基于浮栅(Floating Gate)晶体管设计,通过浮栅来锁存电荷,由于浮栅是电隔离的,所以即使在去除电压之后,到达栅极的电子也会被捕获。这就是闪存非易失性的原理所在。数据存储在这类设备中,即使断电也不会丢失。根据不同的纳米技术,NAND...

佰维BIWIN LPDDR5

2024-01-30
LPDDR5BIWIN LPDDR5LPDDR5支持多Bank Group模式,传输速率从4266Mbps提升至6400Mbps,多组电压动态调节,功耗降低30%;高性能、低功耗、更安全可靠和多容量选择,佰维LPDDR5内存方案将有效满足中高端智能手机、平板电脑、汽车等各种智能终端对内存芯片的需求。产品规格InterfaceLPDDR5Dimension12.4×15.0mmFrequenc...

佰维BIWIN LPDDR4

2024-01-30
BIWIN LPDDR4LPDDR4LPDDR全称是Low Power Double Data Rate SDRAM,是DDR的一种,主要以低功耗为特点。BIWIN Low Power DDR提供包括从高性能到高性价比的RAM解决方案。最新一代的LPDDR4具有比LPDDR3高50%的性能提升;同时,更低的功耗和更高的频率,让设备运行更加顺畅。产品规格InterfaceLPDDR 4 / L...

佰维(biwin) eMCP

2024-01-30
eMCP随着手机所用操作系统的程序代码容量变大,特别是随着Android操作系统的广泛流行,智能型手机对存储容量的更高要求,BIWIN eMCP是基于MCP(Multi-Chip Packaging;多芯片封装技术)的产品,采用eMMC芯片加一颗低功耗的DRAM方案,有效简化了客户产品的制造过程和开发成本,缩短终端产品的研发时间,加快终端产品上市。产品规格接口eMMC+LPDDR4X尺寸11...

佰维(BIWIN) eMMC

2024-01-30
BIWIN eMMCBIWIN eMMC凭借简练和先进的设计在短时间内进入市场,采用高性能主控芯片和稳定的NAND Flash,可在提高数据传输效率的同时,更稳定地实现更多、更快的多任务处理,可保证网页浏览、下载应用程序、高清视频回放、运行大型游戏时的流畅性。eMMC的一个明显优势是在封装中集成了一个控制器,它提供标准接口并管理闪存,使得设备厂商能专注于产品开发的其它部分,并缩短向市场推出产...

康芯威-KONSEMI_国产EMMC嵌入式存储芯片

2024-01-18
康芯威-KONSEMI_国产EMMC嵌入式存储芯片合肥康芯威存储技术有限公司(以下简称“康芯威”)成立于2018年11月,主营业务为“前沿存储技术开发、方案输出、芯片设计、半导体器件分销”,产品应用于电视、机顶盒、手机、智能汽车、数据中心等领域前沿存储技术开发方案输出芯片设计生产与销售eMMC5.1:产品介绍: 支持8GB至128GB,主要应用于手机、平板电脑、电视、机顶盒、智能穿戴、...

SD NAND与SPI NAND的对比

2024-01-15
最近有很多客户在使用 SD NAND的时候都会问SD NAND与SPI NAND有什么区别,下面我们来一起了解下内部材质:主流SD NAND与SPI NAND基本上都是使用SLC NAND FLASH晶圆,擦写寿命可达5万-10万次;接口以及驱动程序:SD NAND正常接CPU是用SDIO接口,SPI NAND是接SPI接口使用,很多主流的CPU都是自带SDIO的驱动,因此使用SD NAND...

什么是SD NAND存储芯片?

2024-01-05
SD NANDSD NAND是储存卡的延伸,可直接贴片,又名贴片式TF卡、SD Flash 等,其内部集成高性能的闪存控制器,兼容 SD 协议,满足客户小型化、差异化、高可靠性的设计需求。SD NANDSD NAND是储存卡的延伸,可直接贴片,又名贴片式TF卡、SD Flash 等,其内部集成高性能的闪存控制器,兼容 SD 协议,满足客户小型化、差异化、高可靠性的设计需求。产品优势:小尺寸:...

HBM高带宽内存,新一代DRAM解决方案

2024-01-05
HBM竞争格局与应用市场:三巨头垄断,受益于AI服务器市场增长。据TrendForce集邦咨询研究显示,2022年三大原厂HBM市占率分别为SK 海力士(SK hynix)50%、三星(Samsung)约40%、美光(Micron)约10%。新思界预测2025E中国HBM需求量将超过100万颗。JEDEC定义三类DRAM标准:HBM属于细分图形DDR下述三种 DRAM 类别使用相同的 DRA...

在内存领域关于HBM的竞赛

2024-01-05
由于处理器与存储器的工艺、封装、需求的不同,从1980年开始至今二者之间的性能差距越来大。有数据显示,处理器和存储器的速度失配以每年50%的速率增加。存储器数据访问速度跟不上处理器的数据处理速度,数据传输就像处在一个巨大的漏斗之中,不管处理器灌进去多少,存储器都只能“细水长流”。两者之间数据交换通路窄以及由此引发的高能耗两大难题,在存储与运算之间筑起了一道“内存墙”。着数据的爆 炸势增长,内...

HBM产业链

2024-01-05
方正证券指出,HBM产业链中TSV为核心工艺,电镀、测试、键合需求也将提升。AI算力需求增长打开HBM市场空间,预计至2026年市场规模将达127.4亿美元,CAGR达37%。11月17日周五,HBM概念股持续活跃,华海诚科、中富电路20CM涨停,壹石通涨超16%,联瑞新材、赛腾股份等跟涨。消息面上,AI引爆HBM存储芯片需求,英伟达新一代AI芯片H200搭载HBM3e,存储三大巨头争相推进...

解析HBM技术原理及优势

2024-01-05
HBM4将是未来市场上最先进的存储器。HBM技术是一种基于3D堆叠工艺的高性能DRAM,它可以为高性能计算、人工智能、数据中心等领域提供高带宽、高容量、低延迟和低功耗的存储解决方案。本文将介绍HBM技术的原理、优势、应用和发展趋势。01. HBM技术原理: 3D堆叠实现高密度存储HBM技术是一种将多层DRAM芯片通过硅通孔(TSV)和微型凸点(uBump)连接在一起,形成一个存储堆栈(sta...

Samsung Electronics Launches Industry’s First 24Gbps GDDR6 DRAM to Power Next-Generation High-End Gr

2024-01-05
Incorporating an innovative circuit design and advanced insulating material,Samsung’s new memory will be the first GDDR6 to deliver speeds up to 24GbpsCompliant with the latest GDDR industry standa...

GDDR6X Memory

2024-01-05
GDDR6X: Bringing Gaming and AI to LifeMicron has created the world’s fastest discrete graphics memory solution: GDDR6X. Launched with NVIDIA on the GeForce® RTX™ 3090 and GeForce® RTX™ 3080 GPUs, G...

天海存储 (SkyHigh Memory) 在业界最先进的 1xnm 工艺技术上扩展了其 SLC NAND 系列系列

2023-12-25
具有高级安全功能的新3.0V 1Gb-4Gb容量2KB/4KB页第一代串口(SPI)NAND和1Gb-2Gb容量2KB页第三代并行系列NAND,ML-3产品新州圣页何塞,20日20日——全球存储存储解决方案的领导者天海存储(SkyHigh Memory Limited)向市场推出其NAND系列3.0V 1Gb-4Gb容量4KB和2KB页ML3-产品。新的Gb-4Gb ML的3 SLC 1nm...

SK hynix Commercializes World’s Fastest Mobile DRAM LPDDR5T

2023-12-14
News HighlightsStarts supplying 16 GB mobile DRAM package to global smartphone makersLPDDR5T to be adopted in the latest smartphones along with MediaTek Dimensity 9300 mobile processor“Company to c...

SK hynix’s LPDDR5T, World’s Fastest Mobile DRAM, Completes Compatibility Validation with Qualcomm

2023-12-14
News Highlights9.6Gbps product verified to be compatible with Qualcomm’s new Snapdragon mobile processorWith validation with global major partners completed, SK hynix to provide LPDDR5T to global s...

Samsung Develops Industry’s First CXL DRAM Supporting CXL 2.0

2023-12-11
128GB CXL DRAM based on advanced CXL 2.0 interface to be mass produced this year, accelerating commercialization of next-generation memory solutionsSamsung will continue collaborating with global d...

Samsung Electronics Announces Most Advanced 12nm-Class DDR5 DRAM Has Started Mass Production

2023-12-11
amsung's newest DRAM will optimize next-generation computing, including artificial intelligence applications, with greater power efficiency and productivitySamsung Electronics, a world leader in ad...

Samsung Develops Industry’s First GDDR7 DRAM To Unlock the Next Generation of Graphics Performance

2023-12-11
Samsung’s latest 32Gbps GDDR7 to further expand capabilities in applications for AI, HPC and automotive vehiclesEnhancements in GDDR7 include 1.4 times boost in performance and 20% improvement in p...

Samsung Starts Mass Production of Automotive UFS 3.1 Memory Solution With Industry’s Lowest Power Co

2023-12-11
New UFS 3.1 is optimized for IVI systems and consumes 33% less energy, providing added benefits to future automotive applicationsSamsung to build out full UFS 3.1 lineup to meet various customer ne...

Samsung Electronics Unveils Industry’s Highest-Capacity 12nm-Class 32Gb DDR5 DRAM, Ideal for the AI

2023-12-11
Provides double the capacity of 16Gb modules within the same package size, enabling 128GB DRAM module production without the TSV process and decreasing power consumption by 10%The new product also ...

Samsung Electronics’ Industry-First LPCAMM Ushers in Future of Memory Modules

2023-12-11
LPDDR-based LPCAMM will lead next-gen module market for PCs and laptops, possibly extending to data centersImprovements in performance by 50%, power efficiency by 70% and mounting area by 60% compa...

Samsung Unveils New Portable SSD T5 EVO That Offers 8TB Capacity in a Compact Design

2023-12-11
Delivers up to 3.8 times the transfer speeds of external HDD, and protects data from drops of up to two metersSamsung Electronics, a world leader in advanced semiconductor technology, today unveile...

Samsung Research Fellow Juho Lee Named Inaugural Recipient of IEEE ComSoc Excellence in Supporting S

2023-12-11
▲ Juho Lee, a fellow at Samsung Research, won the Excellence in Supporting Standardization for Communications Award from IEEE ComSoc at the GLOBECOM 2023 conference on December 5. Juho Lee, a fello...

[Invitation] Samsung Press Conference at CES 2024 ‘AI for All: Connectivity in the Age of AI’

2023-12-11
Samsung Electronics will hold a press conference on January 8, a day before exhibitions open for the 2024 Consumer Electronics Show (CES) in Las Vegas, NV. The event is scheduled to begin at 2:00 p...

Samsung Electronics Holds Memory Tech Day 2023 Unveiling New Innovations To Lead the Hyperscale AI E

2023-12-11
New technologies and products include HBM3E Shinebolt, LPDDR5X CAMM2 and Detachable AutoSSD to accelerate innovation for future computing requirements Samsung Electronics, a world leader in advance...

韩媒:三星年底将正式供应HBM3,Q4营业利润将环比增长76%

2023-12-09
据韩媒报道,Kiwoom证券8日表示,由于第四代高带宽存储器HBM3的全面供应以及存储器价格的上涨,三星电子今年第四季度业绩将超出市场预期。预计三星电子HBM3将于今年年底明年初正式开始向包括NVIDIA在内的主要客户供货,第五代(HBM3E)量产将取得有意义的成果。报道称,三星电子第四季度营业利润将环比增长76%,达到4.3万亿韩元(约合32.8亿美元),大幅超出市场共识(3.5万亿韩元)...

三星电子预计存储芯片市场2024年复苏

2023-12-04
国际电子商情1日讯 三星电子预计,随着人工智能(AI)应用的发展,对存储芯片的总体需求将会上升,市场可望在2024年复苏。10月31日,三星电子公布了截至2023年9月30日的第三季度财务业绩。报告期内,三星电子实现合并总营收67.4万亿韩元,环比增长12%,负责半导体的设备解决方案部门亏损收窄。三星电子指出,尽管宏观经济的不确定性可能延续,传统服务器需求不振,但AIGC催生下高端服务器需求...

STT-MRAM 应用领域

2022-11-30
物联网 智能电表 水表/燃气表 可穿戴设备 自动售卖机 摄像头/硬盘录像机工业控制 工业PC PLC 运动控制 电梯 机器人 电机编码器医疗 呼吸机 血液透析机 CT扫描仪 助听器 健康监测设备 网络数据 无人机 网络服务器 数据采集器 企业SSD汽车电...

STT-MRAM 市场关注

2022-11-30
目前有数家芯片制造商,正致力于开发名为STT-MRAM的新一代存储器技术,然而这项技术仍存在其制造和测试等面向存在着诸多挑战。STT-MRAM(又称自旋转移转矩MRAM技术)具有在单一元件中,结合数种常规存储器的特性而获得市场重视。在多年来的发展中发现,STT-MRAM具备了SRAM的速度与快闪存储器的稳定性与耐久性。STT-MRAM是透过电子自旋的磁性特性,在芯片中提供非挥发性储存的功能。...

新型存储对比:SRAM/DRAM/MRAM/PCM/ReRAM/NAND

2022-11-30
存储器是现代信息系统的关键组件之一,已经形成了一个主要由DRAM与NAND Flash组成的超过1600亿美元的市场。同时,新型存储开始逐步迈向产业化,将有可能重塑未来存储市场格局。我国正在大力发展存储产业,提前布局新型存储将是建立未来存储产业生态的重要部分。新型存储主要指相变、磁变、阻变存储目前,受到广泛关注的新型存储器主要有3种:相变存储器(PCM),以英特尔与美光联合研发的3D Xpo...

通用存储器MRAM的概念接单介绍

2022-11-28
MRAM是磁阻式随机存取存储器(Magneto-resistiveRandom Access Memory )的缩写。MRAM是一种非挥发性电脑存储器( NVRAM )技术,从20世纪90年代以来开始开发就已经取得惊人的进展。MRAM存储器最终将成为占主导地位的并取代其它所有类型的存储器,并成为一个真正的“通用存储器”。实用型MRAM芯片主要利用隧道磁阻(TMR)效应,之前的巨磁阻( GMR...

STT-MRAM存储器技术

2022-11-28
应用前景存储芯片的新高地边缘计算中的应用非易失MRAM在SCM中的应用价值--华为加快布局闪存存储的步伐MRAM的明显优势技术发展前景分析原理介绍工作原理分析新一代存储器技术发展提高写入速度的新方法--IMEC高性能嵌入式MRAM晶圆级亚百纳米STT-MRAM器件内存升级GF 12nm 工艺关键技术关键工艺步骤FinFET器件中的STT-MRAM存储单元制作发展方向新的单元结构--USMR(...

SPI MRAM

2022-11-17
xSPI接口MRAM是世界上性能最高的持久性存储器,基于新的JEDEC扩展串行外设接口(xSPI)标准接口完成每秒400兆字节的全读写带宽。容量为8Mbit到64Mbit,主要用于工业物联网和嵌入式系统。xSPI接口MRAM提供了一个突破性的性能水平和使用的应用方法。这是基于广泛的SPI/QSPI/xSPI行业标准是通过带来极高的带宽、低延迟和非易失性写入能力来实现的。这些功能将增强和简化几...

Netsol代理1Mb-32Mb高速四路SPI MRAM非易失性存储器

2022-11-17
SPI MRAM是理想的存储器解决方案,适用于必须使用少量引脚、低功耗和24引脚BGA或16引脚SOIC封装快速存储和检索数据和程序的应用。Quad SPI模式下的四个I/O允许非常快速的读取和写入,使其成为下一代RAID控制器、服务器系统日志、存储设备缓冲区以及嵌入式系统数据和程序存储器中传统并行数据总线接口的有吸引力的替代方案。使用netsol的专利STT-MRAM技术,读取和写入都可以...

工业储存技术再进化 完美内存MRAM现身

2022-11-02
近年来,半导体先进制程微缩趋势带动下,加上AI人工智能、5G与AIoT等科技加速推进,3C设备、智慧家电、智慧汽车、智能城市到国防航天等领域都可以应用大量芯片记录海量数据。内存是所有微控制器嵌入式系统的主要组件,闪存(Flash)储存技术早已成为工控设备的主流配备。近年来,半导体先进制程微缩趋势带动下,加上AI人工智能、5G与AIoT等科技加速推进,3C设备、智慧家电、智慧汽车、智能城市到国...

瑞萨成功开发22nm MRAM,替换MCU中的闪存?

2022-11-02
瑞萨电子公司今天宣布,它已开发出用于嵌入式自旋转移矩磁阻随机存取存储器 (STT-MRAM) 的电路技术,以下简称 MRAM)测试芯片。该芯片具有快速读写操作,采用 22 纳米工艺制造。测试芯片包括一个 32 兆位 (Mbit) 嵌入式 MRAM 存储单元阵列,可在 150°C 的最高结温下实现 5.9 纳秒 (ns) 的随机读取访问,以及 5.8 兆字节/秒的写入吞吐量( MB/秒)。瑞萨...

尺寸最小+功耗最低,三星即将宣布MRAM重要突破

2022-11-02
据外媒报道,三星电子即将在国际电子器件会议(IEDM)上报告其在新一代非易失性存储器件领域的最新研究进展。会议接收的资料显示,三星研究人员在14nm FinFET逻辑工艺平台上实现了磁性隧道结堆叠的磁阻式随机存取存储器(MRAM)制造,据称是目前世界上尺寸最小、功耗最低的非易失性存储器。该团队采用三星28nm嵌入式MRAM,并将磁性隧道结扩展到14nm FinFET逻辑工艺。三星研究人员将在...

NandFlash和NorFlash的区别 PSRAM和NORFLASH区别,norflash和emmc的区别

2022-10-25
NandFlash和NorFlash都是Flash的一种,都是散存,都是磁盘存储介子,但是NandFlash一般比较大,而NorFlash都比较小,并且NorFlash比较贵,并且NorFlash写的速度比较慢,但读的速度比较快,而NandFlash读的速度比较慢,写的速度比较快。 PSRAM,假静态随机存储器。PSRAM就是伪SRAM,内部的内存颗粒跟SDRAM的颗粒相似,但外部的接口跟S...

嵌入式存储STT-MRAM取代NOR Flash大势所趋

2022-10-25
据国外媒体报导,GlobalFoundries、三星(Samsung)、台积电(TSMC)和联电(UMC)计划在2017年稍晚开始提供嵌入式存储器ST-MRAM或STT-MRAM,取代NOR Flash,此举代表市场的巨大转变,因为到目前为止,只有Everspin已经为各种应用提供MRAM,例如电池供电的SRAM替代品、读写缓存(Write Cache)等。全球主要晶圆代工厂计划在2017年...

Mram 将率先取代 nor flash? 兆易创新将何去何从?

2022-10-25
兆易创新(nor flash)的爆发现今,nor flash 在嵌入式存储市场占据着半壁江山,其广泛应用于工业、汽车、电信、消费电子等领域。在贸易保护主义盛行,全球芯片市场供不应求的时代背景下,国内主攻 nor flash 和 MCU 的兆易创新迎来了爆发的时机。新型存储企业(Mram)的崛起除此之外,国内一些创新型存储企业,如中电海康、浙江驰拓、上海磁宇等,也在积极布局Mram 产业,并逐...

兆易创新是唯一一个具备存储全产品布局的内资企业。

2022-10-25
兆易创新是唯一一个具备存储全产品布局的内资企业。公司产品涵盖NOR Flash、SLC NAND Flash和DRAM,其中NOR Flash市场份额达到了14%,位列全球第四。公司是苹果AirPods NOR Flash的第一供应商,深度受益于本次TWS耳机市场的爆发。随着安卓TWS耳机功能不断向苹果看齐,安卓TWS耳机的NOR Flash需求有望在较长一段时间内持续提升,而兆易物美价廉的...

NOR Flash下游应用全面开花

2022-10-25
下游市场对NOR Flash需求持续提升,NOR Flash迎来新春。NOR Flash由于容量小、成本高等缺点,一度被大厂边缘化,但是由于5G、IOT、AMOLED和智能汽车等下游市场的快速发展,再次受到厂商的重视。物联网物联网相关产品及TWS等可穿戴设备的快速增长,是 NOR Flash需求增长的主要驱动力。一个典型的IOT模块,核心芯片包括处理器(MCU或SoC形式的AP)、外挂存储芯...